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  • SK하이닉스, 세계 첫 최고속 서버용 D램 ‘MCR DIMM’ 개발
DDR5 현존 최고인 8Gbps 이상의 속도 구현
인텔, 르네사스와 글로벌 협업으로 탄생
SK하이닉스가 개발한 세계 최고속 서버용 D램 제품 ‘DDR5 MCR DIMM’의 샘플 [SK하이닉스 제공]

[헤럴드경제=김민지 기자] SK하이닉스가 동작 속도가 초당 8Gb(기가비트) 이상인 세계 최고속 서버용 D램 제품 ‘DDR5 MCR DIMM’의 샘플 개발에 세계 최초로 성공했다고 8일 밝혔다. 인텔(Intel), 일본 르네사스(Renesas)와의 글로벌 협업으로 탄생한 이 제품은 초당 4.8Gb인 서버용 DDR5보다 속도가 80% 넘게 빨라졌다.

DDR(Double Data Rate)이란, 서버와 PC에 주로 들어가는 D램 규격으로, 현재 5세대인 DDR5까지 개발됐다. MCR DIMM(Multiplexer Combined Ranks Dual In-line Memory Module)은 여러 개의 D램이 기판에 결합된 모듈 제품으로, 모듈의 기본 정보처리 동작 단위인 랭크(Rank) 2개가 동시 작동돼 속도가 향상된 제품이다.

이번 샘플 개발에는 완전히 새로운 개념이 도입됐다. 그동안 DDR5의 속도는 D램 단품의 동작 속도에 좌우된다는 것이 일반적인 인식이었다. 하지만 이번 제품에서는 D램 단품이 아닌, 모듈을 통해 속도를 높이는 방향으로 개발이 진행됐다.

SK하이닉스 기술진은 MCR DIMM에 탑재한 데이터 버퍼(Buffer)를 사용해 D램 모듈의 기본 동작 단위인 랭크 2개가 동시 작동, 128바이트의 데이터가 CPU(중앙정보처리장치)에 전송되도록 했다. 기존 보통의 D램 모듈에서는 1개의 랭크에서 한번에 64바이트(Byte)의 데이터가 CPU에 전송된다. 즉, 모듈에서 CPU로 가는 회당 데이터 전송량을 늘림으로써 SK하이닉스는 D램 단품보다 2배 가까이 빠른, 8Gbps 이상의 속도를 구현해낸 것이다.

SK하이닉스가 개발한 세계 최고속 서버용 D램 ‘MCR DIMM’에 적용된 신개념 기술 [SK하이닉스 제공]

SK하이닉스는 향후 고성능 컴퓨팅 시장에서 MCR DIMM의 수요가 크게 늘어날 것으로 보고 있다. 회사는 고객 수요가 본격화되는 시점에 맞춰 이 제품을 양산할 계획이다

SK하이닉스는 미국 인텔(Intel), 일본 르네사스(Renesas)와 협업해 이번 제품 개발을 성공했다고 강조했다.

류성수 SK하이닉스 부사장(DRAM상품기획담당)은 “당사의 모듈 설계 역량에 인텔의 서버 CPU와 르네사스의 버퍼 기술력이 융합되면서 이번 제품 개발이 가능했다”며 “세계 최고 속도의 MCR DIMM 개발을 통해 SK하이닉스는 또 한번 DDR5의 기술력 진화를 이뤄냈다”고 말했다.

인텔의 디미트리오스 지아카스(Dimitrios Ziakas) 메모리 IO(Input/Output) 기술부문 부사장은 “인텔은 SK하이닉스와 함께 당사의 차세대 서버 CPU에 최적화돼 적용될 초고속 제품 개발을 주도해왔다”며 “앞으로도 양사는 MCR DIMM의 표준화와 후속 제품 개발을 위해 긴밀히 협업하겠다”고 말했다.

르네사스의 사미르 쿠파할리(Sameer Kuppahalli) 메모리 인터페이스 부문 부사장은 “이번에 르네사스가 개발한 데이터 버퍼는 제품의 구상부터 완성까지 3년 동안 여러 기술이 집약된 노력의 결실”이라고 밝혔다.

jakmeen@heraldcorp.com

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