차세대 반도체 솔루션 소개

삼성전자는 17일(현지시간) 미국 실리콘밸리에 위치한 삼성전자 미주법인(DSA) 사옥에서 ‘삼성 테크 데이(Samsung Tech Day) 2018’을 개최하고, 차세대 반도체 솔루션을 소개했다고 18일 밝혔다.

지난해에 이어 두 번째로 개최된 이번 행사는 ‘Samsung ＠ The Heart of Everything’이라는 주제로 진행됐으며, 글로벌 IT업체와 미디어, 애널리스트, 테크(Tech) 파워 블로거 등 500여 명이 참석했다.

이날 행사에는 삼성전자 미주 지역총괄 최주선 부사장과 메모리 D램 개발실 장성진 부사장, FLASH 개발실 경계현 부사장, 솔루션 개발실 정재헌 부사장 및 상품기획팀 한진만 전무, 글로벌 IT 업계 주요 인사, 그리고 개발자들이 참석해 최신 반도체 시장의 흐름과 첨단기술 트랜드를 공유했다.

이번 테크 데이에서 삼성전자는 메모리 분야에서 ▷세계 최초 256GB 3DS RDIMM ▷기업용 7.68TB 4비트(QLC) 서버 SSD ▷6세대 V낸드 기술 ▷2세대 Z-SSD 등을 공개했다. 파운드리 사업부에서는 EUV(극자외선) 노광 기술을 적용한 파운드리 7나노 공정(7LPP) 개발을 완료하고 생산에 착수했다고 밝혔다.

최주선 부사장은 개회사에서 “빅데이터 분석과 AI 기술이 본격 확산되면서 차세대 IT 시장도 고객 가치를 높일 수 있도록 혁신적으로 변화하고 있다”며 “글로벌 IT 시장을 선도하는 고객들에게 반도체 기술 발전의 가능성과 차세대 제품을 공개하게 되어 매우 기쁘다”고 말했다.

한편 이번 행사에서 세계 최초로 공개된 ‘256GB 3DS RDIMM’은 차세대 초고성능ㆍ초고용량 실시간 분석(Real Time Analysis) 및 인메모리 데이터베이스(In Memory DataBase) 플랫폼 개발에 최적화된 D램 솔루션이다. 삼성전자가 지난해 양산을 시작한 업계 최대 용량의 10나노급 16Gb DDR4 D램을 탑재, 기존 ‘128GB RDIMM’ 대비 용량 2배 확대, 소비전력효율은 30% 개선됐다. 

손미정 기자/balme@